Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Согласованная система оценки качества электронных изделий. Схемы интегральные гибридные и пленочные. Подтверждение пригодности. Типовые формы частных технических условий
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытания материалов для полупроводниковой технологии. Анализ поверхности кремниевых пластин посредством мультиэлементного определения в водных анализируемых растворах методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. Интегральные схемы для СВЧ-диапазона. Преобразователи частоты
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. Интегральные схемы для СВЧ-диапазона. Преобразователи частоты
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. Интегральные схемы для СВЧ-диапазона. Преобразователи частоты
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 16-10. Технологический график премки монолитных интегральных схем
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Шина VMEB по IEC 821: Микропроцессорная системная шина для данных форматом от 1 до 4 байт
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Стандарты для расчета времени задержки и мощности рассеяния. Часть 1. Системы расчета времени задержки и мощности интегральной схемы
|
|
На английском языке
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Стандарты на расчет задержки и мощности. Часть 2. Технические условия на расчет предварительной компоновки задержки для библиотек ASIC (интегральных схем прикладной ориентации) CMOS (комплиментарных структур "металл-оксид-полупроводник")
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Схемы интегральные. Руководство по обращению за утверждением производственных линий
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Схемы интегральные. Конфигурации выводов запоминающих устройств
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 1. Общие условия и определения
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 2. Измерение излученных излучений. Метод с применением ТЕМ элементов и широкополосных ТЕМ элементов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений, от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 4. Измерение наведенных излучений методом прямого соединения
1 Ом/150 Ом
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений, 150 кГц - 1 ГГц. Часть 4. Измерение наведенных излучений методом прямого соединения 1 Ом/150 Ом
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений, от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 4. Измерение наведенных излучений методом прямого соединения 1 Ом/150 Ом. Поправка к DIN EN 61967-4:2006-07
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Схемы интегральные. Измерение электромагнитного излучения в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 4. Измерение кондуктивных помех методом прямого соединения 1 Ом/150 Ом. Поправка к DIN EN 61967-4:2006-07, (IEC 61967-4:2002/COR1:2017)
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Интегральные схемы. Измерение электромагнитных излучений от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 5. Измерение наведенных излучений. Стендовый метод клетки Фарадея
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 7 / 8 / 9 |