Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-8. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов
|
Действует |
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-9. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения внутренней квантовой эффективности на основе электролюминесценции, зависящей от температуры
|
Действует |
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-10. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения внутренней квантовой эффективности на основе исходной точки при комнатной температуре
|
Действует |
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения излучающего и неизлучающего токов светодиодов
|
Действует |
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-13. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Испытание на сероводородную коррозию светодиодных сборок
|
Действует |
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-14. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Определение температуры поверхности методом термоотражения
|
Действует |
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-15. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Определение напряжения, соответствующего плоским энергетическим зонам, методом спектроскопии электроотражения
|
Действует |
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-16. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения напряжения, соответствующего плоским зонам, светодиодов на основе GaN с помощью фототоковой спектроскопии
|
Действует |
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры. Изменение 1
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры. Изменение 2
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 6: Тиристоры
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 6. Дискретные приборы. Тиристоры
|
Действует |
На языке оригинала
|
76752,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: однооперационные триодные тиристоры с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса, рассчитанные на ток до 100 А
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на симметричные триодные тиристоры (triacs) с определенными параметрами для конкретных условий окружающей среды или корпуса, рассчитанные на ток до 100 А
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на однооперационные триодные тиристоры с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса, рассчитанные на ток свыше 100 А
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 1
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 2
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
Страницы: ... / 3 / 4 / 5 / 6 / 7 / 8 / 9 / 10 / 11 / 12 / 13 / 14 / 15 / 16 ... / 32 |