 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
ОСТ11-032.920-82 |  на печать | | Структуры эпитаксиальные и пленки диэлектрические. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире (КНС) на основе ИК-интерференции |
|
| | Библиография Архивный документ - неактуализированная версия. | Обозначение | ОСТ11-032.920-82 | | Заглавие на русском языке | Структуры эпитаксиальные и пленки диэлектрические. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире (КНС) на основе ИК-интерференции | | Дата введения в действие (опубликования) | 01.01.1983 | | Код КС (ОКС, МКС) | 29.045 | | Код КГС | Э29 | | Код ОКСТУ | 6309 | | Индекс рубрикатора ГРНТИ | 470181;470190 | | Вид требований | Требования единые гарантирующие конкурентноспособность на мировом рынке | | Количество страниц (оригинала) | 14 | | Примечание | | |
| | Изменения | Стандарт ОСТ11-032.920-82 входит в рубрики классификатора:
| | | | | |
| |
|
|
|
| Цены |
| Неактуализированная версия |
По запросу. Пишите на gost@gostinfo.ru.
|
|
|
|