 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
DIN 50454-1-2000 |  на печать | | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлия |
|
| | Библиография | Обозначение | DIN 50454-1-2000 | | Заглавие на русском языке | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлия | | Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide | | Дата опубликования | 01.07.2000 | | МКС | 29.045 | | Вид стандарта | ST | | Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50454-1(1991-11)*DIN 50454-1(1999-07) | | Язык оригинала | немецкий | | Количество страниц оригинала | 9 | | Перекрестные ссылки | DIN 50433-1(1976-12)*DIN 50434(1986-02) | | Код цены | Preisgruppe 8 | |
| | Стандарт DIN 50454-1-2000 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|