 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
DIN 50454-3-1994 | на печать | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлия |
|
|  | Библиография Обозначение | DIN 50454-3-1994 | Заглавие на русском языке | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлия | Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 3: Gallium phosphide | Дата опубликования | 01.10.1994 | МКС | 29.045 | Вид стандарта | ST | Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50454-3(1993-06) | Язык оригинала | немецкий | Количество страниц оригинала | 2 | Перекрестные ссылки | DIN 50433-1(1976-12)*DIN 50454-1(1991-11) | Код цены | Preisgruppe 5 |  |
|  | Стандарт DIN 50454-3-1994 входит в рубрики классификатора:
| |
|  |
|
 |
 |
Цены |
На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|