 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
KS C IEC 60747-9 | на печать | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs) |
|
|  | Библиография Обозначение | KS C IEC 60747-9 | Международный стандарт | IEC 60747-9:2019(IDT) | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs) | Дата опубликования | 2024.06.07 | Код МКС | 31.080.01,31.080.30 |  |
|  | Стандарт KS C IEC 60747-9 входит в рубрики классификатора:
| | | |
|  |
|
 |
 |
Цены |
На языке оригинала |
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|