 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 29332-2012 |  на печать | | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT) |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 29332-2012 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT) | | Дата опубликования | 2012-12-31 | | Дата вступления в силу | 2013-06-01 | | Код МКС | 31.080.30;31.080.01 | | Разработан на основе | IEC 60747-9:2007 | | Степень гармонизации | IDT | | Количество страниц оригинала | 56 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | CCS Code | L42 | |
| | Стандарт GB/T 29332-2012 входит в рубрики классификатора:
| | | | | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
3629,00
|
|
|
|