|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы. Изменение 1
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторы
|
Действует |
На языке оригинала
|
76752,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
На языке оригинала
|
3744,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторы
|
Действует |
На языке оригинала
|
135720,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4-1. Микроволновые диоды и транзисторы. Микроволновые полевые транзисторы. Форма частных технических условий
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4-2. Микроволновые диоды и транзисторы. Микроволновые усилители для интегральных схем. Форма частных технических условий
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 1
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Действует |
На языке оригинала
|
72072,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
На языке оригинала
|
1872,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы
|
Действует |
На языке оригинала
|
126360,00
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низко- и высокочастотного усиления с определенными параметрами, рассчитанными на условия окружающей среды
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного усиления с определенными параметрами корпуса
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 3. Форма частных технических условий на биполярные транзисторы для переключателей
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Раздел 4. Форма технических условий на биполярные транзисторы для высокочастотного усиления с определенными параметрами корпуса
|
Отменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Часть 7-5. Биполярные транзисторы для применений в силовых переключателях
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы
|
Заменен |
На языке оригинала
|
Нет
|
|
Страницы: 1 / 2 |