| Обозначение | IEC 60747-9(1998) |
| Заглавие на русском языке | Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) |
| МКС | 31.080 |
| Ключевые слова | Транзисторы биполярные |
| Вид стандарта | ST*N |
| Дескрипторы (английский язык) | BIPOLAR TRANSISTORS*COMPONENTS*CONNECTIONS FOR MEASUREMENT*DEFINITIONS*DIMENSIONING*DISCRETE DEVICES*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRICAL MEASUREMENT*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*INTEGRATED CIRCUITS*LIMITS (MATHEMATICS)*MEASUREMENT*MEASURING TECHNIQUES*PROPERTIES*RATINGS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTORS*SYMBOLS*TESTING*TRANSISTORS*ELECTRIC MEASUREMENTS*ELECTRONIC EQU*MATHEMATICS |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC 47E/109/FDIS(1998.04) |
| Обозначение заменяющего | IEC 60747-9(2007) |
| Обозначение заменяющего в части | IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001) |
| Дата опубликования | 01.08.1998 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 53 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Заменен |
| Код цены | |
 |