| Обозначение | IEC 60747-8-1(1987) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz |
| МКС | 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST*N |
| Дескрипторы (английский язык) | ASSESSMENT LEVEL*BARRIERS LAYERS*COMPONENTS*DEFINITIONS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*INSPECTION*INTEGRATED CIRCUITS*LIMITS (MATHEMATICS)*MARKING*MEASUREMENT*MEASURING TECHNIQUES*MECHANICAL PROPERTIES*PROPERTIES*QUALITY ASSESSMENT PROCEDURES*QUALITY ASSESSMENT SYSTEMS*RATINGS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTORS*SPECIFICATION (APPROVAL)*SYMBOLS*TRANSISTORS*SPECIFICATIONS*ELECTRONIC EQU*MATHEMATICS |
| Дата опубликования | 01.01.1987 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 38 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Отменен |
| Код цены | |
 |