| Обозначение | IEC 60747-8-3(1995) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications |
| МКС | 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST*N |
| Дескрипторы (английский язык) | DETAIL SPECIFICATION*DISCRETE DEVICES*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SPECIFICATION*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU |
| Обозначение заменяемого(ых) | IEC/DIS 47(Central Office)1350(1993.01) |
| Обозначение заменяющего | IEC 60747-8(2010) |
| Дата опубликования | 01.04.1995 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 40 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Заменен |
| Код цены | |
 |