| Обозначение | IEC 60747-8-2(1993) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса |
| Заглавие на английском языке | Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications |
| МКС | 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST*N |
| Дескрипторы (английский язык) | BLANK FORMS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD EFFECT TRANSISTORS*POWER AMPLIFIERS*SEMICONDUCTOR DEVICES*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| Обозначение заменяющего | IEC 60747-8(2010) |
| Дата опубликования | 01.02.1993 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 38 |
| ТК – разработчик стандарта | SC 47E |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Заменен |
| Код цены | |
 |