GB/T 43315-2023 | | | Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique |
|
|
 |
Библиография | Обозначение | GB/T 43315-2023 | | Заглавие на английском языке | Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique | | Дата опубликования | 2023-11-27 | | Дата вступления в силу | 2024-06-01 | | Код МКС | 77.040 | | Степень гармонизации | | | Количество страниц оригинала | 12 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | GPQ | H21 | |
|
|
Стандарт GB/T 43315-2023 входит в рубрики классификатора:
| | |
|