Постоянная ссылка
https://www.standards.ru/document/7746112.aspx

GB/T 43493.1-2023

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

На языке оригиналаПоложить в корзину
Заказать перевод

Библиография

ОбозначениеGB/T 43493.1-2023
Заглавие на английском языкеSemiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
Дата опубликования2023-12-28
Дата вступления в силу2024-07-01
Код МКС31.080.99
Разработан на основеIEC 63068-1:2019
Степень гармонизацииIDT
Количество страниц оригинала24
СтатусPublished
Тип стандартаvoluntary national standard
Язык оригиналаChinese
Доступные языки
Имя файла
CCS CodeL90

Стандарт GB/T 43493.1-2023 входит в рубрики классификатора: