| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Термобиметаллы. Технические условия поставки
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Термобиметаллы. Испытание на возникновение специальной термической кривизны
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Монокристаллы стержнеобразные кремниевые и германиевые.Измерение удельного электрического сопротивления постоянному току методом двух зондов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Монокристаллы кремниевые и германиевые. Измерение удельного электрического сопротивления постоянному току методом четырех зондов при их линейном расположении
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний и германий.Определение типа проводимости образцов методом термодетектора или испытанием выпрямлением
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые неорганические. Определение ориентации монокристаллов при помощи рентгенографии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые неорганические. Определение ориентации монокристаллов методом световых фигур
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение ориентации монокристаллов методом обратного рассеяния Laue
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение дефектов монокристаллов кремния при помощи техники травления на поверхности (111) и (100)
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний и германий. Определение радиального изменения удельного электрического сопротивления кремниевых и германиевых дисков методом постоянного тока и четырех зондов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые неорганические. Определение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерферометрии
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасной абсорбции. Часть 1. Кислород
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасной абсорбции. Углерод
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной абсорбции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной асборбции
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в монокристаллах кремния при незначительной инжекции методом фотопроводимости
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в прямоугольном образце монокристалла методом фотопроводимости
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 1. Толщина и ее изменение
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
| Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 |