|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 15. Метод определения силы сцепления между PDMS и стеклом
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 16. Методы определения остаточных напряжений в пленках MEMS. Методы определения отклонения кантилеверной балки и кривизны пластины
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 17. Методы определения остаточных напряжений в пленках MEMS. Метод испытания на вспучивание для измерения механических свойств тонких пленок
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 18. Метод испытания на изгиб тонкопленочных материалов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 20. Гироскопы
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных MEMS материалов
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 22. Метод испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 26. Методы описания и измерения микрощелевых и игольчатых структур
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
|
|
На английском языке
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для управляющих диэлектрических пленок
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для интерметаллических слоев
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянного тока
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Определение объема пустот при металлизации
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Элементы полупроводниковые с нажимными контактами (признание качества). Общие технические условия
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 12. Вибрации, переменная частота
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 13. Солевая атмосфера
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза). (IEC 60749-18:2019). Немецкая версия EN IEC 60749-18:2019
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Групповыетехнические условия. Идентично IEC 60747-11:1985
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 15. Изолированные мощные полупроводниковые приборы.
|
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
| Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 / 5 / 6 |