| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 1. Требования к поставке и использованию
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 1. Поставка и применение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
52416,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
68328,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 6. Требования к информации, касающейся температурного моделирования
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Транзисторы со структурой металл-оксид, полупроводниковые, полевые. Испытание стабильности при отклонении температуры
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для управляющих диэлектрических пленок
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для интерметаллических слоев
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Механизмы управления электронные, работающие на постоянном и переменном токе для модулей СИД (светоизлучающих диодов). Эксплуатационные требования. Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Аппараты пускорегулирующие электронные с напряжением питания постоянного или переменного тока для модулей со светоизлучающими диодами. Требования к рабочим характеристикам
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянного тока
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание с барьером Шоттки на транзисторах MOS
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытания с подвижным ионом для полупроводниковых транзисторов с полевым эффектом металл-оксид
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
3744,00
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Определение объема пустот при металлизации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Требования к допустимым условиям применения нитевидных кристаллов на шероховатой отделке поверхности из олова и его сплавов на полупроводниковых приборах
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
52416,00
|
|
| Страницы: ... / 19 / 20 / 21 / 22 / 23 / 24 / 25 / 26 / 27 / 28 / 29 / 30 / 31 / 32 |