| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод определения тепловых характеристик гибких материалов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 6. Метод определения поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 7. Метод определения запирающего действия герметизации тонких пленок для гибких органических полупроводников
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод определения растяжимости, гибкости и стабильности гибкой резистивной памяти
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Гибкие и эластичные полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы определения рабочих характеристик резистивных ячеек памяти на одном транзисторе и одном резисторе (1T1R)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 1. Общие требования к интерфейсу электропитания для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 2. Методы оценки эффективности беспроводной передачи мощности посредством резонанса для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 3. Аккумулирование пьезоэлектрической энергии, вызванное ударом, для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковый интерфейс автомобилей. Часть 4. Метод оценки интерфейса передачи данных для датчиков автомобиля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
21528,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
37440,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Методы измерения и оценки приборов, аккумулирующих кинетическую энергию, в практических условиях воздействия вибраций. Часть 1. Произвольная и случайная механическая вибрация
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
46800,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Классификация дефектов в эпитаксиальной пленке из нитрида галлия на карбидокремниевой подложке
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для беспроводной передачи энергии и зарядки. Часть 1. Общие требования и спецификации
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
46800,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания для обнаружения изменения звука
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Руководство по динамическому испытанию на сопротивление устройств преобразования мощности на основе GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 17. Магнитный и емкостный соединитель для базовой и усиленной изоляции
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 5-12. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения кпд светоизлучающих диодов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
68328,00
|
|
| Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 7 / 8 / 9 |