![](/i/imgs/sp.gif) |
![](/i/imgs/search.gif) |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63068-3(2020) | на печать | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции |
|
| ![](/i/imgs/sp.gif) | Библиография Обозначение | IEC 63068-3(2020) | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence | МКС | 31.080.99 | Вид стандарта | ST | Дата опубликования | 13.07.2020 | Язык оригинала | английский;французский | Количество страниц оригинала | 51 | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | Номер издания | 1.0 | Статус | Действует | Код цены | G | ![](/i/imgs/sp.gif) |
| ![](/i/imgs/sp.gif) | Стандарт IEC 63068-3(2020) входит в рубрики классификатора:
| |
| ![](/i/imgs/sp.gif) |
|
![](/i/imgs/sp.gif) |
![](/i/imgs/sp.gif) |
Цены |
На языке оригинала |
33060,00
|
|
|