| Обозначение | IEC 63068-3(2020) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence |
| МКС | 31.080.99 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 13.07.2020 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 51 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | G |
 |