| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 2
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
68328,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы. Изменение 1
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
129168,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 8-4. Полевые транзисторы метал-оксид- полупроводник, применяемые для переключения мощности
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Заменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
68328,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Испытание на стабильность при отклонении температуры полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Часть 1. Ускоренное BTI испытание для MOSFET
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Печатная электроника. Часть 503-1. Оценка качества. Метод измерения тока смещения в печатных тонкопленочных транзисторах
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Печатная электроника. Часть 503-3. Оценка качества. Метод измерения контактного сопротивления в печатных тонкопленочных транзисторах. Метод длины передачи
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность нитридгаллиевых транзисторов путем переключения индуктивной нагрузки
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Руководство по измерению порогового напряжения (VT) SiC MOSFETs (транзисторов силовой электроники на основе карбида кремния)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
| Страницы: 1 / 2 |