 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
IEC 63275-2(2022) |  на печать | | Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода |
|
| | Библиография | Обозначение | IEC 63275-2(2022) | | Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation | | МКС | 31.080.30 | | Вид стандарта | ST | | Дата опубликования | 11.05.2022 | | Язык оригинала | английский;французский | | Количество страниц оригинала | 24 | | ТК – разработчик стандарта | TC 47 | | Номер издания | 1.0 | | Статус | Действует | | Код цены | C | |
| | Стандарт IEC 63275-2(2022) входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
6960,00
|
|
|
|