| Обозначение | IEC 63275-2(2022) |
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation |
| МКС | 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 11.05.2022 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 24 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | C |
 |