 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
расширенный поиск | карта сайта |
|
|
|
GB/T 7576-1998 |  на печать | | Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification |
|
| | Библиография | Обозначение | GB/T 7576-1998 | | Заглавие на английском языке | Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification | | Дата опубликования | 1998-11-17 | | Дата вступления в силу | 1999-06-01 | | Код МКС | 31.080.30 | | Обозначение заменяемого(ых) | GB 7576-1987 | | Разработан на основе | IEC 747-7-4:1991
QC 750107 | | Степень гармонизации | IDT | | Количество страниц оригинала | 20 | | Статус | Published | | Тип стандарта | voluntary national standard | | Язык оригинала | Chinese | | Доступные языки | | | Имя файла | | | CCS Code | L42 | |
| | Стандарт GB/T 7576-1998 входит в рубрики классификатора:
| | |
| |
|
|
|
| Цены |
| На языке оригинала |
1613,00
|
|
|
|