| Обозначение | GB/T 7576-1998 |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification |
| Дата опубликования | 1998-11-17 |
| Дата вступления в силу | 1999-06-01 |
| Код МКС | 31.080.30 |
| Обозначение заменяемого(ых) | GB 7576-1987 |
| Разработан на основе | IEC 747-7-4:1991
QC 750107 |
| Степень гармонизации | IDT |
| Количество страниц оригинала | 20 |
| Статус | Published |
| Тип стандарта | voluntary national standard |
| Язык оригинала | Chinese |
| Доступные языки | |
| Имя файла | |
| CCS Code | L42 |
 |