Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 11. Метод испытания на коэффициенты линейного теплового расширения автономного материала для микроэлектромеханических систем
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 12. Метод испытания на усталость при сгибании тонкопленочных материалов с использованием структур MEMS
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 13. Методы измерения прочности сцепления при испытании на изгиб и сдвиг микроэлектромеханических структур MEMS
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 15. Метод определения силы сцепления между PDMS и стеклом
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 16. Методы определения остаточных напряжений в пленках MEMS. Методы определения отклонения кантилеверной балки и кривизны пластины
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 17. Методы определения остаточных напряжений в пленках MEMS. Метод испытания на вспучивание для измерения механических свойств тонких пленок
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 18. Метод испытания на изгиб тонкопленочных материалов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 20. Гироскопы
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных MEMS материалов
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 22. Метод испытания на растяжение проводящих тонких пленок на гибких подложках
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 25. Технология изготовления MEMS на основе кремния. Метод измерения прочности на отрыв-сжатие и на сдвиг контактной микроплощадки
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Микроэлектромеханические приборы. Часть 26. Методы описания и измерения микрощелевых и игольчатых структур
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые штампованные изделия. Часть 2. Форматы обмена данными
|
|
На английском языке
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Транзисторы со структурой металл-оксид, полупроводниковые, полевые. Испытание стабильности при отклонении температуры
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для управляющих диэлектрических пленок
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Часть 1. Испытание на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB) для интерметаллических слоев
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание на электромиграцию постоянного тока
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Испытание с барьером Шоттки на транзисторах MOS
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Полупроводниковые приборы. Определение объема пустот при металлизации
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
Страницы: ... / 2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 7 / 8 / 9 / 10 / 11 |