| Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%)
в рублях |
|
|
Метод определения механических свойств гибких опто-электрических печатных плат при термическом воздействии
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
29016,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность нитридгаллиевых транзисторов путем переключения индуктивной нагрузки
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Общее руководство по оценке надежности полупроводниковых приборов. Часть 1. Руководство по оценке надежности интегральных схем
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
52416,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Руководство по планам оценки надежности полупроводниковых приборов. Часть 2. Концепция профиля миссии
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Приборы полупроводниковые. Полупроводниковые приборы для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания для обнаружения изменения звука
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Руководство по динамическому испытанию на сопротивление устройств преобразования мощности на основе GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Тепловая стандартизация корпусов полупроводниковых приборов. Часть 2-1. Трехмерные (3D) тепловые имитационные модели полупроводниковых корпусов для стационарного теплового анализа. Дискретные корпуса
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Тепловая стандартизация корпусов полупроводниковых приборов. Часть 3. Модели моделирования тепловых цепей дискретных корпусов полупроводниковых приборов для анализа переходных процессов
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Руководство по измерению порогового напряжения (VT) SiC MOSFETs (транзисторов силовой электроники на основе карбида кремния)
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Размеры электронных ламп. 1-е дополнение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
14976,00
|
|
|
|
Размеры электронных ламп. 2-е дополнение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Размеры электронных ламп. 3-е дополнение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
1872,00
|
|
|
|
Размеры электронных ламп. 4-е дополнение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
3744,00
|
|
|
|
Размеры электронных ламп. 5-е дополнение
|
Действует |
|
На языке оригинала
|
7488,00
|
|
|
|
Алюминиевые электролитические конденсаторы с длительным сроком службы (тип 1) и общего назначения (тип 2). Первое дополнение к стандарту 103-69
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Алюминиевые электролитические конденсаторы с длительным сроком службы (тип 1) и общего назначения (тип 2). Второе дополнение к стандарту 103-69
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Алюминиевые электролитические конденсаторы с длительным сроком службы (тип 1) и общего назначения (тип 2). Третье дополнение к публикации 103-69
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
|
|
Алюминиевые электролитические конденсаторы с длительным сроком службы (тип 1) и общего назначения (тип 2). Четвертое дополнение к публикации 103-69
|
Отменен |
|
На языке оригинала
|
Нет
|
|
| Страницы: ... / 124 / 125 / 126 / 127 / 128 / 129 / 130 / 131 / 132 / 133 / 134 / 135 / 136 / 137 ... / 148 |